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晶圆测试在测量中注意的问题?

所属类别:2019-11-28 阅读:735次
晶圆测试是芯片交货前必须的步骤,其目的就是为了筛选出符合产品规范的合格品提供给客户。通常衡量晶圆测试的结果有两个:第一看测试良率是否达到预期,第二看测试参数分布C雕是否满足量产需求。晶圆测试良率和C陬长期以来是业界关心的问题,特别是从事半导体制造和质量控制的工程师们一直在想办法降低制造工艺带来的良率损失,以降低制造成本。但苦于集成电路产品设计越来越复杂, 工艺越来越先进,设计和工艺的交叉影响对测试的提出很高的挑战。
晶圆测试
常见几种晶圆测试问题的解决方案。总结下来晶圆良率问题主要体现在这么几类: 产品设计问题,设计工艺匹配度问题,工艺本 身问题(包含光罩问题)和测试本身问题。

对于产品设计问题:通常所说的设计上的各种 bug,如有必要需要更改局部电路设计,增强设计的鲁棒性,代价是设计复杂度和芯片面积的 增加。 对于设计工艺匹配度问题:检查布局布线是否 符合设计手册的要求,SPICE模型 是否准确。控制工艺参数的波动,尽量把工艺参数控 制在仿真保证的范围内;

工艺本身问题:减少因为设备或环境引入的工 艺污染,产品量产前做好工艺窗口拉偏确认,通常要做Poly尺寸和各种CMOS管子Vt参数的拉偏实 验; 测试本身问题:测试硬件定期维护,排除针卡误宰导致的良率损失,如果有多个量测系统,要在量 产前做好量测系统重复性和重现性验证。

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